4月8日-9日，由北京大学碳基电子学研究中心主办，中国科学院微电子研究所、清华大学航空航天学院协办的“碳基信息器件与先进半导体技术研讨会”在湖南理工大学信息科学与工程学院顺利举行。来自全国十几所高等院校和研究所的近两百名专家学者参加了本次研讨会。本次大会旨在推动碳基电子学和先进半导体技术的研究与发展，为专家和学者们提供一个交流平台，促进国内各相关单位之间的合作和交流。

图1.会议现场

图2.会议报告

此次研讨会邀请了相关领域的专家、学者围绕当下碳基信息器件与先进半导体技术的前沿技术与热点问题进行探讨。北京大学彭练矛院士、岳阳市相关领导、湖南理工学院相关领导致欢迎辞。研讨会采取了主题报告、邀请报告和圆桌会议等形式，研讨会包括5个主题报告，11个邀请报告。主题报告分别为北京大学张锦院士的“单壁碳纳米管的结构控制生长方法研究”、北京科技大学张跃院士的“先进制程集成电路关键材料新赛道一二维范德华电子学器件”、清华大学冯雪教授的“碳基功率器件”、中科院微电子所刘新宇研究员的“碳基异质融合布局与思考”、北京大学张志勇教授的“碳基CMOS集成电路技术”。会议结束阶段的自由讨论环节更是座无虚席，气氛热烈。

与会专家深入汇报讨论了碳基电子学和先进半导体技术的相关研究进展，碰到的问题和可能的解决方案。会议为相关领域的专家提供了一个重要的交流平台，也为专家和学者们提供了一个了解当前技术和探讨未来发展的机会，取得圆满成功。

图3.圆桌会议现场